Endüstriyel Vakum Ark İnce Film Sistemi, yoğun, son derece yapışkan metalik, alaşımlı ve seramik ince filmleri biriktirmek için katodik ark buharlaştırmayı kullanır. Yüksek-akım, düşük-voltajlı bir ark, katı katot malzemelerini yüksek derecede iyonize edilmiş bir plazma akışına (%40 - 80% iyonlaşma oranı) buharlaştırarak olağanüstü film-alt tabakaya-bağlanma gücü ve yüksek birikme oranları sağlar.
Endüstriyel üretim ve ileri malzeme araştırmaları için tasarlanan platform, TiN, TiAlN, CrN ve DLC gibi endüstriyel kaplamalar için çok-katotlu konfigürasyonları, hassas reaktif gaz yönetimini ve otomatikleştirilmiş proses kontrolünü entegre eder.
Teknik Özellikler
|
Parametre |
Şartname |
|
Hazne Boyutları |
Phi 600 mm x 600 mm (Phi 1500 mm'ye kadar özelleştirilebilir) |
|
Oda Yapısı |
304 Paslanmaz Çelik, çift-duvarlı su-soğutmalı, dahili elektropolisajlı Ra<= 0.4 um |
|
Taban Basıncı |
<= 5.0 x 10^-4 Pa (ISO 3567 compliant) |
|
Çalışma Basıncı |
0,1 Pa - 5.0 Pa |
|
Pompalama Paketi |
Döner kanat + Roots üfleyici + Yüksek-hızlı difüzyon/turbomoleküler pompa |
|
Ark Güç Kaynağı |
DC/Darbeli DC jeneratörleri (10 A - 200 A, dalgalanma<= 1%) |
|
Substrat Eğilimi |
Darbeli DC Önyargı: 0 ~ -1000 V ark bastırmayla ayarlanabilir |
|
Katot Kaynakları |
2 ~ 6 manyetik-filtrelenmiş veya yönlendirme ark kaynağı (Phi 85 / Phi 100 mm) |
|
Yüzey Fikstürü |
600 C'ye kadar ısıtma ile gezegensel dönüş (1 ~ 10 RPM) |
|
Kontrol Mimarisi |
PLC + Endüstriyel Dokunmatik Ekranlı PC (Reçete otomasyonu, CFR 21 Bölüm 11'e hazır seçenek) |
Temel Özellikler
Yüksek Plazma İyonizasyonu:Katodik ark iyonizasyonu (%40 - 80%) yoğun film çekirdeklenmesini teşvik ederek sütunlu mikro yapı kusurlarını ortadan kaldırır.
Geliştirilmiş Yapışma Mukavemeti:Yerinde yüksek-enerjili iyon temizliği, takım çeliğinde 40 N'yi aşan kritik çizik yüklerine (Lc) ulaşır (ASTM C1624 onaylı).
Toroidal Manyetik Filtrasyon (Opsiyonel):Kusursuz, pürüzsüz nano-kaplamalar üreterek makro-damlacıkları yakalayıp ortadan kaldırmak için plazma yörüngelerini saptırır.
Kapalı-Döngü Reaktif Kontrolü:Kütle akış kontrolörleri (MFC'ler), stokiyometrik bileşik birikimi için N2, O2, C2H2 ve Ar'yi hassas bir şekilde düzenler.
Hızlı Bakım:Hızlı{0}çıkarılabilen katot düzeneği, hedefin 30 dakika içinde değiştirilmesine olanak tanır.
Vakum Sistemi Konfigürasyonu
Kaba İşleme ve Kök İşleme Aşaması:10 Pa'ya hızlı düşüş için doğrudan-tahrikli döner kanatlı ve mekanik takviye pompası.
Yüksek Vakum Aşaması:Sıvı nitrojen soğuk tuzaklı veya manyetik olarak kaldırılan turbomoleküler pompalı (1600 L/s) < 5 x 10^-4 Pa'ya ulaşan yağ difüzyon pompası.
Göstergeler ve Kilitler:Otomatik pnömatik sürgülü vanalar ve PLC kilitleriyle eşleştirilmiş çift Pirani ve Soğuk Katot iyonizasyon göstergeleri.
Buharlaşma Malzemeleri ve Yüzey Uyumluluğu
Cathode Targets (Purity >= 99.95%):
Metaller:Ti, Cr, Al, Zr, Cu, Mo, W, Ag, Au
Alaşımlar/Bileşikler:TiAl, TiSi, CrAl, WC, Grafit (C)
Yüzey Malzemeleri:
Takım Çelikleri:SKH51, M2, D2, karbür uçlar
Alaşımlar:304/316L Paslanmaz Çelik, İnkonel, Ti-6Al-4V
Seramik/Cam:Alümina, kuvars (yüzey aktivasyonu gereklidir)
Uygulamalar
Kesme ve Şekillendirme Aletleri:Matkaplar, parmak frezeler ve damgalama kalıpları üzerindeki TiN, TiAlN ve AlCrN kaplamalar (Sertlik: 2500 - 3200 HV).
Otomotiv Bileşenleri:Piston segmanları ve yakıt enjeksiyon pimleri üzerinde düşük-sürtünmeye, aşınmaya- dayanıklı kaplamalar.
Dekoratif Donanım:Tüketici donanımı için fonksiyonel metalik kaplamalar (altın, pembe altın, tunç siyahı).
Biyomedikal İmplantlar:Cerrahi ve dişçilik cihazlarında biyouyumlu sert kaplamalar (ISO 10993 uyumlu profiller).
Özelleştirme Seçenekleri
Oda Ölçeği:Yüksek-hacimli partiler için büyütülmüş dikdörtgen veya silindirik hazneler.
Hibrit Yapılandırmalar:Katodik ark kaynaklarını dengesiz magnetron püskürtme (UBMS) ile eşleştiren ikili{0}teknoloji entegrasyonu.
Önyargı Modları:Yalıtım veya yarı iletken yüzeyler için RF önyargı entegrasyonu.
Veri Entegrasyonu:MES bağlantısı için OPC UA / Modbus TCP protokolleri.
Kalite Kontrol ve Test
ISO 9001 Kalite Yönetim Standartları kapsamında yürütülür:
Helyum Sızıntısı Tespiti:Tüm kaynaklarda kütle spektrometresi testi (Sistem sızıntı oranı<= 1.0 x 10^-9 Pa*m^3/s, ISO 3529 compliant).
Elektrik Güvenliği:Yalıtım direnci ve topraklama sürekliliği CE / IEC 60204-1'e göre denetlenmiştir.
İşlevsel Doğrulama:72 saatlik sürekli mekanik ve elektriksel kuru çalışma.
Fabrika Kabul Testi (FAT):Müşteri test kuponlarında kalınlık tekdüzeliğini (+/- 5%) ve yapışma ölçümlerini doğrulayan deneme biriktirme.
Kurulum ve Teknik Destek
Tesis Ön-Kontrol:Complete utility blueprint detailing cooling water (>= 5 m^3/h), güç kapasitesi ve egzoz havalandırması.
-Sitede Hizmete Alma:Saha mühendisleri tarafından denetlenen mekanik yerleştirme, tesisat bağlantısı ve vakum yeterliliği.
Operatör Eğitimi:Rutin operasyon, bakım, hedef değiştirme ve PLC programlamayı kapsayan 5-günlük uygulamalı program.
Yaşam Döngüsü Hizmeti:Güvenli VPN uzaktan tanılama ve 48 saatte kritik yedek parça gönderimi.
Sıkça Sorulan Sorular
S: Manyetik filtreleme biriktirme oranını nasıl etkiler?
C: Manyetik filtreler, hassas optik/elektronik yüzeyler için makro-damlacıkları tamamen ortadan kaldırırken, plazma yönlendirme yolu, doğrudan filtrelenmemiş yönlendirme arkı yapılandırmalarıyla karşılaştırıldığında etkili biriktirme oranını yaklaşık %- 30%20 azaltır.
S: Tipik hedef değiştirme aralığı nedir?
C: 100 A'da çalıştırılan standart bir Phi 100 mm titanyum hedef, film kalınlığına ve görev döngüsüne bağlı olarak 60 - 100 üretim partisi sağlar.
S:-İletken olmayan alt tabakalar bu sistemle uyumlu mu?
C: Evet, iyon bombardımanı sırasında yüzey yükü birikimini ve ark oluşumunu önlemek için darbeli DC veya RF öngerilim konfigürasyonunun belirtilmesi şartıyla.
S: Standart ünite için tam tesis kullanım parametreleri nelerdir?
A: Güç Kaynağı: 3 fazlı, 380 V +/- 10%, 50/60 Hz (~45 kW toplam).
Cooling Water: >0.2 - 0.3 MPa'da (15 C - 25 C)=5 m^3/h.
Basınçlı Hava: Pnömatik çalıştırma için 0.5 - 0.7 MPa.
Popüler Etiketler: vakum ark ince film sistemi, Çin vakum ark ince film sistemi üreticileri, tedarikçiler, fabrika, İnce Film Üretim Hattı
